NAND FLASH芯片W66BM6NBUAFI产品信息：
制造商：Winbond Electronics
制造商零件编号：W66BM6NBUAFI TR
描述：2GB LPDDR4X, X16, 1600MHZ, INDUS
对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
NAND FLASH芯片W66BM6NBUAFI一般信息：
数据列表：W66xL6Nxx, W66xL2Nxx;
标准包装：1
类别：集成电路（IC）
产品族：存储器
其它名称：256-W66BM6NBUAFIDKR
NAND FLASH芯片W66BM6NBUAFI规格：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
技术：SDRAM - 移动 LPDDR4X
存储容量：2Gb （128M x 16）
存储器接口：LVSTL_11
时钟频率：1.6GHz
写周期时间 - 字，页：18ns
电压 - 供电：1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V
工作温度：-40°C ~ 95°C（TC）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：200-WFBGA
供应商器件封装：200-WFBGA（10x14.5）
NAND FLASH芯片W66BM6NBUAFI详细描述：SDRAM-移动-LPDDR4X-存储器-IC-2Gb-（128M-x-16）-LVSTL_11-1.6GHz-200-WFBGA（10x14.5）
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